晶圓濺鍍 – Apollo 300

PVD 200-300 mm 晶圓加工

應用

• 可配置多達 5 種不同的電鍍材料

• 底部金屬化沉積 (UBM) / 再布線 (RDL)

• 扇出

• 射頻過濾器

• 功率器件

特點

• 橋接能力：尺寸變化

• 除氣 / 退火

• 感應耦合電漿 (ICP) 蝕刻 / 電容式耦合電漿(CCP) 蝕刻

材料

• 200 mm 和 300 mm 晶圓

• 翹曲晶圓和重晶圓加工

• 硅片、環氧模塑料 (EMC)、重分配芯片封裝 (RCP)、玻璃、Bonded